当传统DRAM的利润率开始碾压AI明星产品HBM，存储芯片巨头的资本支出逻辑正在悄然转向。
据追风交易台，美银美林4月24日发布的全球存储技术周报显示，一季度财报季后，主要存储芯片制造商扩产HBM的热情明显降温，部分原本划拨给HBM的资本开支预算已被转移至传统DRAM乃至NAND。
与此同时，芯片厂商对签署长期协议（LTA）的兴趣也在减退——在合同价格持续每季上涨的背景下，锁定长期价格意味着放弃潜在的更高收益，预计下半年业绩增长将更多依赖传统存储产品，而非HBM4。
这一转变对市场的直接影响在于：存储行业的投资逻辑正从"AI溢价"向"传统供给短缺"切换。DRAM合同价格在2026年二季度已创历史新高，16Gb DDR5合同价格预计环比再涨逾20%；NAND合同价格同样处于历史高位，预计二季度将升至约30美元。传统存储的超强盈利能力，正在重塑芯片巨头的产能分配决策。
HBM扩产热情降温：三大原因驱动资本支出转向美银美林的最新分析指出，存储芯片制造商对HBM扩产态度趋于保守，背后有三重逻辑。
其一，传统DRAM（以LPDDR5为主）的盈利能力已显著优于HBM。在当前价格体系下，传统DRAM的利润率对芯片厂商更具吸引力，资本效率更高。其二，HBM4的订单增速略有放缓，需求端的边际动能有所减弱。其三，基于NAND的KV缓存内存在AI推理场景中的应用正快速增长，部分替代了对HBM的需求。
上述因素叠加，导致部分原本用于HBM扩产的资本开支预算被重新分配至传统DRAM和NAND产能。这一趋势将使下半年业绩增长的驱动力从HBM4转向传统存储产品。
长协意愿下降：涨价周期中锁价得不偿失除扩产策略调整外，芯片厂商对长期协议（LTA）的态度也出现明显转变。
随着越来越多的客户愿意按季度支付更高的DRAM和NAND合同价格，芯片厂商签署LTA的动力正在减弱。厂商的顾虑主要集中在两点：一是若存储芯片供给短缺延续至2027至2028年，LTA将限制价格和利润的上行空间；二是若市场出现下行周期，长期合同存在被违约的风险。
报告预计，2026年下半年至2027年上半年的传统存储销售，仍将以按季度价格谈判为主，新签LTA长期合同的增量将较为有限。
价格走势：传统DRAM创25年新高，DDR4现分化当前存储芯片价格处于历史罕见高位，但内部结构出现分化。
据DRAMeXchange数据，16Gb DDR5现货价约为38.5美元，16Gb DDR4现货价约为63.9美元，均处于过去25年来的最高水平。合同价方面，DRAM合同价在2026年4月创历史新高，达35至40美元区间；16Gb DDR5合同价预计4月环比涨幅超过20%，此前4季度和1季度分别已上涨约200%和80%。
不过，DDR4现货价格本周出现明显回调，16Gb DDR4周跌幅达5至8%，原因在于其现货价较DDR5高出50%以上，需求端已出现替代效应。相比之下，DDR5现货价格保持稳定。DDR5跑赢DDR4的趋势可能延续至6月。韩国4月前20天半导体出口同比增长182%，主要由DDR5、HBM和NAND拉动，DDR4占总存储出货量的比例已不足1%。
2028年产能扩张预期下调：供给约束支撑长期看涨逻辑市场此前担忧韩国及美国新建晶圆厂将在2028年带来大规模DRAM产能冲击，但实际扩产规模可能远低于预期。
报告指出，大多数芯片厂商预计每座新建晶圆厂在2028年的产能增量最多仅为每月5至6万片晶圆。尽管新厂洁净室空间理论上可支持每年10万片的产能，但在1d制程节点等高执行风险下，厂商倾向于以更为审慎的节奏投入前端晶圆制造设备。这意味着全球DRAM行业整体晶圆产能增速仅为个位数百分比。芯片厂商对长期供给短缺的乐观判断，正是基于这一产能扩张约束。
值得注意的是，TCB（热压键合）设备需求预计将在2028年显著放量，主要用于16层及20层HBM4e的封装，以配套英伟达Rubin Ultra及更先进的AI ASIC芯片。
此外，美银在本期报告中同步上调了对韩国基板和MLCC（多层陶瓷电容）板块的乐观程度。与DRAM类似，若传统IT用途的MLCC和基板产能被转用于AI服务器，由于尺寸更大、制造周期更长、规格要求更高，其生产量将大幅下降，从而形成供给收紧。
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